Sold out

332,00 840,00  netto

Parametry zależne od podłoża (folia PET):

  • Standardowe rozmiary próbek: 10 mm x 10 mm, 1”x 1”, 2” x 2” (inne rozmiary dostępne na zamówienie)
  • Mobilność elektronów w temperaturze 300K: 3500±500 cm2/Vs
  • Gęstość ładunków: 1-3 x E12
  • Średnia rezystancja powierzchniowa jednej warstwy grafenu: ~900 Ohms/sq (1cm x1cm)
  • Pokrycie: >99,5%
  • Grubość folii PET: 0,125 mm (inne rozmiary dostępne na zamówienie)
Wyczyść wybór
Porównaj
  • Metoda wzrostu: synteza CVD w reaktorze o wysokiej temperaturze (AIXTRON lub sprzęt CVD/First Nano)
  • Dostępne podłoża do wzrostu: miedź (standard), german (w przypadku, gdy niepożądane są zanieczyszczenie metaliczne), nikiel i inne
  • Metoda transferu: szybka delaminacja elektrochemiczna. Więcej informacji: Properties of Chemical Vapour Deposition Graphene Transferred by High-Speed Electrochemical Delamination
  • Pokrycie  >99.5% (proszę obejrzeć załączone obrazki z mikroskopu optycznego)
  • Ilość warstw grafenu:  1, możliwy transfer wielokrotny – w sprawie nietypowych próbek, prosimy o kontakt
  • Wielkość ziarna: Do 1 mm
  • Wygląd (kolor): przeźroczysty
  • Przeźroczystość pojedynczej warstwy grafenu: >97%
  • Standardowa kontrola jakości: spektroskopia Ramana – pojedynczy punkt
  • Pomiary opcjonalne: proszę sprawdzić “Usługi badawcze”
Rozmiar

10 mm x 10 mm, 10 mm x 10 mm – Pack 4 units, 1" x 1", 2" x 2"

Warstwy

Monowarstwa, Dwuwarstwa, Trójwarstwa

1. GO – (graphene oxide) – tlenek grafenu [otrzymywany w pierwszej fazie otrzymywania grafenu chemicznego]

2. RGO – (reduced graphene oxide) – zredukowany tlenek grafenu [otrzymywany poprzez redukcję (usuniecie tlenu) GO;

3. PET, PMMA – [poli(tereftalan etylenu), poli(metakrylan metylu)] polimery wykorzystywane jako podłoże - nośnik grafenu;

4. SiC – węglik krzemu [materiał krystaliczny, będący jednym z optymalnych podłoży w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych dla zastosowań w elektronice wysokich mocy i częstotliwości];

5. GaN – azotek galu - materiał krystaliczny, podłoże kolejnej generacji dla zastosowań w elektronice wysokich mocy i częstotliwości – w fazie badań;

6. CVD (Chemical Vapor Deposition) – osadzanie z fazy gazowej, metoda wzrostu grafenu

7. SEM (Scanning Electron Microscopy) - skaningowa mikroskopia elektronowa

8. AFM (Atomic Force Microscopy) - mikroskopia sił atomowych

9. Raman (Raman Spectroscopy) - spektroskopia ramanowska

10. TEM (Transmission Electron Microscopy) - transmisyjna mikroskopia elektronowa
Back to Top