1 684,00 94 231,00  netto

Jedno lub wielowarstwowy grafen, osadzony na węgliku krzemu opatentowaną metodą CVD, jest naszym produktem flagowym.

Wyczyść wybór
Compare
  • Metoda wzrostu: synteza CVD w reaktorze AIX G5 WW AIXTRON lub w reaktorze AIXTRON VP508
  • Alternatywna metoda wzrostu na zamówienie: sublimacja
  • Mobilność elektronów przy 300K: do 3000 cm2/Vs dla typu N I do 6500 cm2/Vs dla typu P
  • Koncentracja ładunku powierzchniowego przy 300K: 5E11 – 1,5E13 cm-2 dla typu N i 1-1,5 E13 cm-2 dla typu P
  • Opcjonalna interkalacja wodorem zmienia typ przewodności z N na P przez połączenie atomów wodoru z wierzchnią warstwą atomów krzemu podłoża SiC (więcej informacji o tym efekcie w artykule “Step-edge-induced resistance anisotropy in quasi-free-standing bilayer chemical vapor deposition graphene on SiC”)
  • Ilość warstw: 1-2 dla próbek nie interkalownych i 1-3 dla próbek interkalowanych wodorem
  • Standardowa kontrola jakości: spektroskopia Ramana w pojedynczym punkcie
  • Pomiary opcjonalne: proszę sprawdzić “Usługi badawcze”

Standardowe podłoża:

  • Polityp SiC: 4H-SiC(0001) lub 6H-SiC(0001), inne dostępne na życzenie
  • Wykorzystana strona: Si lub C
  • Standardowe rozmiary próbek: 10mm x 10mm, 15mm x 15mm, Ø3”, Ø 4”, Ø6” (inne rozmiary dostępne na zamówienie)
Polityp kryształu podłoża

SiC-4H ( 0001 ), SiC 6H ( 0001 )

Przewodność podłoża

Przewodzące, Pół-izolujące

Rozmiar

10 mm x 10 mm, 15 mm x 15 mm, Ø3, Ø4, Ø6

1. GO – (graphene oxide) – tlenek grafenu [otrzymywany w pierwszej fazie otrzymywania grafenu chemicznego]

2. RGO – (reduced graphene oxide) – zredukowany tlenek grafenu [otrzymywany poprzez redukcję (usuniecie tlenu) GO;

3. PET, PMMA – [poli(tereftalan etylenu), poli(metakrylan metylu)] polimery wykorzystywane jako podłoże - nośnik grafenu;

4. SiC – węglik krzemu [materiał krystaliczny, będący jednym z optymalnych podłoży w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych dla zastosowań w elektronice wysokich mocy i częstotliwości];

5. GaN – azotek galu - materiał krystaliczny, podłoże kolejnej generacji dla zastosowań w elektronice wysokich mocy i częstotliwości – w fazie badań;

6. CVD (Chemical Vapor Deposition) – osadzanie z fazy gazowej, metoda wzrostu grafenu

7. SEM (Scanning Electron Microscopy) - skaningowa mikroskopia elektronowa

8. AFM (Atomic Force Microscopy) - mikroskopia sił atomowych

9. Raman (Raman Spectroscopy) - spektroskopia ramanowska

10. TEM (Transmission Electron Microscopy) - transmisyjna mikroskopia elektronowa
Back to Top